FQPF7N80C
Gamintojo produkto numeris:

FQPF7N80C

Product Overview

Gamintojas:

Fairchild Semiconductor

Detalių numeris:

FQPF7N80C-DG

Aprašymas:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 6.6A (Tc) 56W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Inventorius:

1000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946632
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FQPF7N80C Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
QFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.9Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1680 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
56W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220F-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
FQPF7N80C Datasheet

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
ONSONSFQPF7N80C
2156-FQPF7N80C
Standartinis paketas
249

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
fairchild-semiconductor

FQB6N40CTM

MOSFET N-CH 400V 6A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDMS0348

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQP6N60C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

fairchild-semiconductor

FDMC7570S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2