Gamintojo produkto numeris:
HUF75333S3
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
HUF75333S3-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 55V 66A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 55 V 66A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventorius:
1488 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12816886
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
HUF75333S3 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Tube
Serijos
UltraFET™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
66A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 66A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 20 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1300 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262 (I2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-HUF75333S3-FS
FAIFSCHUF75333S3
Standartinis paketas
485
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQPF3P20
MOSFET P-CH 200V 2.2A TO220F
FDS6689S
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
ECH8411-TL-E
MOSFET N-CH 20V 9A 8ECH