Gamintojo produkto numeris:
HUF76129S3S
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
HUF76129S3S-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 56A (Tc) 105W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
1850 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12933180
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
HUF76129S3S Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
UltraFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
56A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 56A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
105W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FAIFSCHUF76129S3S
2156-HUF76129S3S
Standartinis paketas
468
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BSF885N03LQ3GXUMA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3116B-S19-AY
N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF76121D3S
N-CHANNEL POWER MOSFET