HUF76432S3ST
Gamintojo produkto numeris:

HUF76432S3ST

Product Overview

Gamintojas:

Fairchild Semiconductor

Detalių numeris:

HUF76432S3ST-DG

Aprašymas:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 59A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventorius:

3124 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12933465
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

HUF76432S3ST Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
UltraFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
59A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 59A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
53 nC @ 10 V
VGS (Max)
±16V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1765 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
130W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
FAIFSCHUF76432S3ST
2156-HUF76432S3ST
Standartinis paketas
300

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
harris-corporation

IRF831

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76132S3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

infineon-technologies

BSC091N03MSCG

N-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76105SK8T

N-CHANNEL POWER MOSFET