Gamintojo produkto numeris:
HUFA75337S3ST
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
HUFA75337S3ST-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
10729 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13074859
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
HUFA75337S3ST Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
UltraFET™
Pakavimas
Bulk
Dalies būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
75A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
14mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
109 nC @ 20 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1775 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
175W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FAIFSCHUFA75337S3ST
2156-HUFA75337S3ST
2156-HUFA75337S3ST-FSTR-ND
Standartinis paketas
392
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
HUFA75339P3
MOSFET N-CH 55V 75A TO220-3
FQPF16N25
MOSFET N-CH 250V 9.5A TO220F
FQPF2P25
MOSFET P-CH 250V 1.8A TO220F