Gamintojo produkto numeris:
NDH8502P
Product Overview
Gamintojas:
Fairchild Semiconductor
Detalių numeris:
NDH8502P-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 30V 2.2A SUPERSOT8
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 2.2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
Inventorius:
53427 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12935468
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NDH8502P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.2A (Ta)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
340pF @ 15V
Galia - Maks.
800mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-TSOP (0.130", 3.30mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
SuperSOT™-8
Pagrindinio produkto numeris
NDH8502
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FAIFSCNDH8502P
2156-NDH8502P
Standartinis paketas
468
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SI4920DY
MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
SI4953DY
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC
SI6955DQ
MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8TSSOP
