Gamintojo produkto numeris:
2N5389
Product Overview
Gamintojas:
General Semiconductor
Detalių numeris:
2N5389-DG
Aprašymas:
LOW FREQ SILICON POWER NPN TRANS
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 7 A 175 W Stud Mount TO-61
Inventorius:
14 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12940579
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N5389 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
General Semiconductor (Vishay)
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
7 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
300 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
-
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
175 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Stud Mount
Pakuotė / dėklas
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-61
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2N5389
GSIGSI2N5389
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SB1234-TB-E-SY
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
2N1650
TRANS NPN 80V 3A TO111
RQA0008AQS#H1
TRANS
