Gamintojo produkto numeris:
2N5598
Product Overview
Gamintojas:
General Semiconductor
Detalių numeris:
2N5598-DG
Aprašymas:
LOW FREQUENCY SILICON POWER NPN
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 2 A 20 W Through Hole TO-66 (TO-213AA)
Inventorius:
18 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12947073
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N5598 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
General Semiconductor (Vishay)
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
2 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
60 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
850mV @ 200µA, 1mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
20 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-213AA, TO-66-2
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-66 (TO-213AA)
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2N5598
GSIGSI2N5598
Standartinis paketas
8
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
