Pagrindinis
Produktai
Gamintojai
Apie DiGi
Susisiekite su mumis
Tinklaraščiai ir įrašai
Užklausa dėl kainos/Siūlymas
Lithuania
Prisijungti
Pasirinktinė kalba
Dabartinė jūsų pasirinkta kalba
Lithuania
Perjungti:
Anglų
Europa
Jungtinė Karalystė
Prancūzija
Ispanija
Turkija
Moldavija
Lietuva
Norvegija
Vokietija
Portugalija
Slovakija
litų
Suomija
Rusų
Bulgarija
Danija
Estija
Lenkija
Ukraina
Slovėnija
Čekų
Graikų
Kroatija
Izraelis
Serbija
Baltarusija
Nyderlandai
Švedija
Juodkalnija
Baskų
Islandija
Bosnija
Vengrų
Rumunija
Austrija
Belgija
Airija
Azija / Ramiojo vandenyno regionas
Kinija
Vietnamas
Indonezija
Tailandas
Laosas
Filipinų
Malaizija
Korėja
Japonija
Hongkong
Taivanas
Singapūras
Pakistanas
Saudo Arabija
Kataras
Kuveitas
Kambodža
Mianmaras
Afrika, Indija ir Artimieji Rytai
Jungtiniai Arabų Emyratai
Tadžikija
Madagaskaras
Indija
Iranas
Kongo Demokratinė Respublika
Pietų Afrika
Egiptas
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegalas
Marokas
Tunisas
Pietų Amerika / Okeanija
Naujoji Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambikas
Peru
Kolumbija
Čilė
Venesuela
Ekvadoras
Bolivija
Urugvajus
Argentina
Paragvajus
Australija
Šiaurės Amerika
Jungtinės Amerikos Valstijos
Haitis
Kanada
Kosta Rika
Meksika
Apie DiGi
Apie mus
Apie mus
Mūsų sertifikatai
DiGi Įvadas
Kodėl DiGi
Politika
Kokybės politika
Naudojimosi sąlygos
RoHS atitiktis
Grąžinimo procesas
Ištekliai
Produktų Kategorijos
Gamintojai
Tinklaraščiai ir įrašai
Paslaugos
Kokybės garantija
Mokėjimo būdas
Pasaulinė siunta
Siuntimo kainos
DUK
Gamintojo produkto numeris:
G3R60MT07K
Product Overview
Gamintojas:
GeneSiC Semiconductor
Detalių numeris:
G3R60MT07K-DG
Aprašymas:
750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Išsami aprašymas:
750 V Through Hole TO-247-4
Inventorius:
1976 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12958925
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
*
Įmonė
*
Kontaktinis Vardas
*
Telefonas
*
El. paštas
Pristatymo adresas
Žinutė
(
*
) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G3R60MT07K Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
GeneSiC Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
G3R™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
-
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
750 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
-
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
-
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
-
Vgs(th) (Maks.) @ Id
-
VGS (Max)
+20V, -10V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
-
Darbinė temperatūra
-
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247-4
Pakuotė / dėklas
TO-247-4
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
G3R60MT07K-DG
Duomenų lapai
G3R60MT07K
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
1242-G3R60MT07K
Standartinis paketas
30
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQW33N65EF-GE3
E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
IPTG210N25NM3FDATMA1
TRENCH >=100V PG-HSOG-8
E3M0075120K
1200V AUTOMOTIVE SIC 75MOHM FET
NP90N06VDK-E1-AY
POWER TRANSISTOR N-CH AUTO POWER