KBJ2510G
Gamintojo produkto numeris:

KBJ2510G

Product Overview

Gamintojas:

GeneSiC Semiconductor

Detalių numeris:

KBJ2510G-DG

Aprašymas:

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A KBJ
Išsami aprašymas:
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBJ

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
120398
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

KBJ2510G Techninės specifikacijos

Kategorija
Diodai, Tiltiniai tiesinimo įrenginiai
Gamintojas
GeneSiC Semiconductor
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Diodo tipas
Single Phase
Technologija
Standard
Įtampa - piko atvirkštinė vertė (maks.)
1 kV
Dabartinis - vidutinis rektifikuotas (Io)
25 A
Įtampa - pirmyn (Vf) (Max) @ If
1.05 V @ 12.5 A
Srovė - atvirkštinis nuotėkis @ Vr
10 µA @ 1000 V
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 125°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
4-SIP, KBJ
Tiekėjo įrenginių paketas
KBJ
Pagrindinio produkto numeris
KBJ2510

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
KBJ2506G thru KBJ2510G

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
KBJ2510GGN
Standartinis paketas
250

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
KBJ410G
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
KBJ410G-DG
VISO KAINA
0.37
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
KBJ610G
GAMINTOJAS
Diodes Incorporated
PRIEINAMAS KIEKIS
20
DiGi DALIES NUMERIS
KBJ610G-DG
VISO KAINA
0.46
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
genesic-semiconductor

2W005M

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A WOM

genesic-semiconductor

KBU8K

BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU

genesic-semiconductor

KBL401G

BRIDGE RECT 1PHASE 50V 4A KBL

genesic-semiconductor

M3P75A-120

BRIDGE RECT 3P 1.2KV 75A 5SMD