Gamintojo produkto numeris:
2301
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
2301-DG
Aprašymas:
P20V,RD(MAX)<[email protected],RD(MAX)<8
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 3A (Tc) 1W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventorius:
14119 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12972906
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2301 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
56mOhm @ 1.7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
900mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 2.5 V
VGS (Max)
±10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
405 pF @ 10 V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-2301TR
3141-2301DKR
3141-2301CT
3141-2301TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PJL9421_R2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
SIR574DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
PMPB95ENEA/FX
NEXPERIA PMPB95ENEA - 80 V, SING
