Gamintojo produkto numeris:
G02P06
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G02P06-DG
Aprašymas:
P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
Išsami aprašymas:
P-Channel 60 V 1.6A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23
Inventorius:
6834 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12986628
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G02P06 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
573 pF @ 30 V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3141-G02P06CT
4822-G02P06TR
3141-G02P06DKR
3141-G02P06TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
C3M0120065J
650V 120M SIC MOSFET
SQJA82EP-T1_BE3
N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
FDC6N50NZFTM
FDC6N50NZFTM
