Gamintojo produkto numeris:
G04P10HE
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G04P10HE-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH ESD 100V 4A SOT-223
Išsami aprašymas:
P-Channel 4A (Tc) 1.2W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventorius:
20000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001634
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G04P10HE Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
4A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.8V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
1.2W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-223
Pakuotė / dėklas
TO-261-4, TO-261AA
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-G04P10HETR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SISHA18ADN-T1-GE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
PSMN2R1-30YLEX
PSMN2R1-30YLE/SOT669/LFPAK
DMN39M1LFVW-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333
