Gamintojo produkto numeris:
G050P03T
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G050P03T-DG
Aprašymas:
P-30V,-85A,RD(MAX)<5M@-10V,VTH-1
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 85A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
69 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12996793
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G050P03T Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
85A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
111 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6922 pF @ 15 V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
100W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-G050P03T
3141-G050P03T
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MCG55P02A-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN3333
HP4936DY
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
IRFR420T
2.5A, 500V, 3OHM, N-CHANNEL MOSF
