G090P02S
Gamintojo produkto numeris:

G090P02S

Product Overview

Gamintojas:

Goford Semiconductor

Detalių numeris:

G090P02S-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Išsami aprašymas:
11A (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventorius:

4000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13259161
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

G090P02S Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
119mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.1V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2225 pF @ 10 V
AKT funkcija
Standard
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOP

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3141-G090P02SCT
3141-G090P02SDKR
3141-G090P02STR
Standartinis paketas
4,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
goford-semiconductor

GT016N10Q

MOSFET N-CH 100V 228A TO-247

transphorm

TP65H035G4QS

650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG

goford-semiconductor

GT1K2P15K

MOSFET P-CH 150V 27A TO-252

transphorm

TP65H050G4YS

650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE