Gamintojo produkto numeris:
G1006LE
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G1006LE-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH ESD 100V 3A SOT-23-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 3A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Inventorius:
90000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12986066
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G1006LE Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.2V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23-3
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-G1006LETR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHP14N60E-BE3
N-CHANNEL 600V
SQJ444EP-T1_BE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
FQPF2N80YDTU
MOSFET N-CH 800V 1.5A TO220F-3
