Gamintojo produkto numeris:
G100N03D5
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G100N03D5-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 100A DFN5*6-8L
Išsami aprašymas:
N-Channel 100A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventorius:
20000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12987124
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G100N03D5 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
100A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-DFN (4.9x5.75)
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-G100N03D5TR
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SQS141ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
SIR4608LDP-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
DMNH6010SCTB-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
