Gamintojo produkto numeris:
G11S
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G11S-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 11A SOP-8
Išsami aprašymas:
P-Channel 11A (Tc) 3.3W (Tc) Surface Mount 8-SOP
Inventorius:
90000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001224
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G11S Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18.4mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.1V @ 250µA
VGS (Max)
±12V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
3.3W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOP
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-G11STR
Standartinis paketas
4,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BUK4D110-20PX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
TW140N120C,S1F
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 140M
IXFX130N65X3
DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU
