Gamintojo produkto numeris:
G12P10K
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G12P10K-DG
Aprašymas:
P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 12A 57W Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventorius:
1157 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12986509
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G12P10K Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1720 pF @ 50 V
Galios išsklaidymas (Max)
57W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252 (DPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3141-G12P10KTR
3141-G12P10KCT
3141-G12P10KDKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPZA65R018CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
DMP2070U-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
DMP2110UFDBQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
