Gamintojo produkto numeris:
G2003A
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G2003A-DG
Aprašymas:
N190V, 3A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Išsami aprašymas:
N-Channel 190 V 3A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-3
Inventorius:
3043 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13002051
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G2003A Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
190 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
540mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
580 pF @ 25 V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
1.8W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-23-3
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-G2003ATR
3141-G2003ACT
3141-G2003ATR
3141-G2003ADKR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MSJW20N65A-BP
MOSFET N-CH TO247
SIHK185N60EF-T1GE3
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
SI3134KLA-TP
MOSFET N-CHANNEL MOSFET
