Gamintojo produkto numeris:
G2012
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
G2012-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
Išsami aprašymas:
N-Channel 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventorius:
3000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13000381
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
G2012 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 250µA
VGS (Max)
±10V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
1.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-DFN (2x2)
Pakuotė / dėklas
6-WDFN Exposed Pad
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
4822-G2012TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SIHD14N60ET1-GE3
N-CHANNEL 600V
IRFR9210PBF-BE3
P-CHANNEL 200V
G10N03S
MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
