G60N04K
Gamintojo produkto numeris:

G60N04K

Product Overview

Gamintojas:

Goford Semiconductor

Detalių numeris:

G60N04K-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 40V 60A TO-252
Išsami aprašymas:
N-Channel 60A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Inventorius:

90000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12978219
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

G60N04K Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
TrenchFET®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
65W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252 (DPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
4822-G60N04KTR
Standartinis paketas
2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
goford-semiconductor

06N06L

N60V,RD(MAX)<42M@10V,RD(MAX)<46M

goford-semiconductor

G2312

N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M

goford-semiconductor

G2312

MOSFET N-CH 20V 5A SOT-23

goford-semiconductor

G23N06K

N60V,RD(MAX)<35M@10V,RD(MAX)<45M