G65P06D5

Gamintojo produkto numeris:

G65P06D5

Product Overview

Gamintojas:

Goford Semiconductor

Detalių numeris:

G65P06D5-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 60V 65A DFN5*6-8L

Išsami aprašymas:

P-Channel 65A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)

Inventorius:

50000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje

12975144

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

G65P06D5 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Goford Semiconductor

Pakuotė

Tape & Reel (TR)

Serijos

TrenchFET®

Produkto būsena

Active

AKT tipas

P-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

65A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

18mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

3.5V @ 250µA

VGS (Max)

±20V

AKT funkcija

Standard

Galios išsklaidymas (Max)

104W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Surface Mount

Tiekėjo įrenginių paketas

8-DFN (4.9x5.75)

Pakuotė / dėklas

8-PowerTDFN

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

4822-G65P06D5TR

Standartinis paketas

5,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

RoHS non-compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

3 (168 Hours)

REACH statusas

Vendor Undefined

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

vishay-siliconix

IRF530PBF-BE3

MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

diotec-semiconductor

DI080N06PQ-AQ

MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0

onsemi

NVH4L015N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

microchip-technology

APT30M61SLLG/TR

MOSFET N-CH 300V 54A D3PAK