GT110N06S
Gamintojo produkto numeris:

GT110N06S

Product Overview

Gamintojas:

Goford Semiconductor

Detalių numeris:

GT110N06S-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 60V 14A SOP-8
Išsami aprašymas:
N-Channel 14A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount 8-SOP

Inventorius:

50000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12975387
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

GT110N06S Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
SGT
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
14A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.4V @ 250µA
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
3W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOP
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
4822-GT110N06STR
Standartinis paketas
4,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
goford-semiconductor

GT55N06D5

N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@

nexperia

PMV28ENER

PMV28ENE/SOT23/TO-236AB

micro-commercial-components

MCG53N06A-TP

N-CHANNEL MOSFET,DFN3333

vishay-siliconix

SIB4317EDK-T1-GE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE