Gamintojo produkto numeris:
GT180P08T
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
GT180P08T-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 80V 89A TO-220
Išsami aprašymas:
P-Channel 40 V 89A (Tc) 245W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
36 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12944851
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
GT180P08T Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
89A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
62 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6040 pF @ 40 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
245W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3141-GT180P08T
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DI030N03D1
MOSFET DPAK N 30V 0.01OHM 175C
MMFTN3018W
MOSFET, SOT-323, 60V, 0.1A, N, 0
SI4467DYBAA005AP
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
