GT400P10T
Gamintojo produkto numeris:

GT400P10T

Product Overview

Gamintojas:

Goford Semiconductor

Detalių numeris:

GT400P10T-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 100V 35A TO-220
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 35A (Tc) 106W (Tc) Through Hole TO-220

Inventorius:

62 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13239061
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

GT400P10T Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
35A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3223 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
106W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
3141-GT400P10T
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
goford-semiconductor

GT750P10M

MOSFET P-CH 100V 24A TO-263

goford-semiconductor

GT400P10K

MOSFET P-CH 100V 35A TO-252

goford-semiconductor

G3K8N15KE

MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252

goford-semiconductor

GT400P10M

MOSFET P-CH 100V 35A TO-263