Gamintojo produkto numeris:
GT700P08T
Product Overview
Gamintojas:
Goford Semiconductor
Detalių numeris:
GT700P08T-DG
Aprašymas:
P-80V, -25A,RD<72M@-10V,VTH-2V~-
Išsami aprašymas:
P-Channel 80 V 25A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventorius:
57 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12987851
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
GT700P08T Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Goford Semiconductor
Pakuotė
Tube
Serijos
SGT
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
80 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
25A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
72mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1639 pF @ 40 V
AKT funkcija
Standard
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
3141-GT700P08T
4822-GT700P08T
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TK10P50W,RQ
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
TK110Z65Z,S1F
POWER MOSFET TRANSISTOR TO-247-4
DI020P06PT-AQ
MOSFET, POWERQFN 3X3, -60V, -20A
