IRF626
Gamintojo produkto numeris:

IRF626

Product Overview

Gamintojas:

Harris Corporation

Detalių numeris:

IRF626-DG

Aprašymas:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 275 V 3.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventorius:

997 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12933619
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

IRF626 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
275 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3.8A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
340 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
40W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
HARHARIRF626
2156-IRF626
Standartinis paketas
523

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
renesas-electronics-america

2SK1401A-E

N-CHANNEL POWER MOSFET

harris-corporation

IRF9522

P-CHANNEL POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

HUF76121P3

N-CHANNEL POWER MOSFET

onsemi

EFC4601R-M-TR

NCH 2.5V DRIVE SERIES