Gamintojo produkto numeris:
IRF641
Product Overview
Gamintojas:
Harris Corporation
Detalių numeris:
IRF641-DG
Aprašymas:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 150 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
14411 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12931737
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IRF641 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1275 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-IRF641
HARHARIRF641
Standartinis paketas
173
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
AON6250
MOSFET N-CH 150V 13.5A/52A 8DFN
FQPF8N80C
MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
IPU60R1K4C6
N-CHANNEL POWER MOSFET
