ICE15N60
Gamintojo produkto numeris:

ICE15N60

Product Overview

Gamintojas:

IceMOS Technology

Detalių numeris:

ICE15N60-DG

Aprašymas:

Superjunction MOSFET
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220

Inventorius:

100 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001714
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

ICE15N60 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
IceMOS Technology
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.9V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
59 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2064 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
156W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220
Pakuotė / dėklas
TO-220-3

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
5133-ICE15N60
Standartinis paketas
50

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
panjit

PJQ1906_R1_00201

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

icemos-technology

ICE30N60W

Superjunction MOSFET

goford-semiconductor

G700P06H

MOSFET P-CH 60V 5A SOT-223

vishay-siliconix

SIS112LDN-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW