Gamintojo produkto numeris:
AUIRF7341Q
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
AUIRF7341Q-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SOIC
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 55V 5.1A 2.4W Surface Mount 8-SOIC
Inventorius:
12798652
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
AUIRF7341Q Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.1A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
44nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
780pF @ 25V
Galia - Maks.
2.4W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
8-SOIC
Pagrindinio produkto numeris
AUIRF7341
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001520152
Standartinis paketas
95
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BSC072N03LDGATMA1
MOSFET 2N-CH 30V 11.5A 8TDSON
BSL214NL6327HTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TSOP6-6
BSO150N03MDGXUMA1
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO