Gamintojo produkto numeris:
AUIRF9Z34N
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
AUIRF9Z34N-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 55V 19A TO220AB
Išsami aprašymas:
P-Channel 55 V 19A (Tc) 68W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventorius:
12802996
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
AUIRF9Z34N Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
HEXFET®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
19A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
620 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
68W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2166-AUIRF9Z34N-448
SP001521042
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF9Z34NPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
78565
DiGi DALIES NUMERIS
IRF9Z34NPBF-DG
VISO KAINA
0.32
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DALIES NUMERIS
IRF9Z34PBF
GAMINTOJAS
Vishay Siliconix
PRIEINAMAS KIEKIS
1262
DiGi DALIES NUMERIS
IRF9Z34PBF-DG
VISO KAINA
0.69
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRFZ34NSTRR
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
IRFR4104TRL
MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
IPD042P03L3GBTMA1
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
