Gamintojo produkto numeris:
BC847C-B5000
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BC847C-B5000-DG
Aprašymas:
BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 250MHz 330 mW Surface Mount PG-SOT23-3-1
Inventorius:
20000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12934445
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BC847C-B5000 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
45 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 100mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
15nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
420 @ 2mA, 5V
Galia - Maks.
330 mW
Dažnis - perėjimas
250MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-SOT23-3-1
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
INFINFBC847C-B5000
2156-BC847C-B5000
Standartinis paketas
15,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SC4615E-E
BIP NPN 1A 400V
2SA1855S-AY
PNP SILICON TRANSISTOR
2SA2023
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
