Gamintojo produkto numeris:
BSC014N04LSATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSC014N04LSATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 32/100A SUPERSO8
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 32A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount SuperSO8
Inventorius:
20563 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12799131
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
HQmD
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSC014N04LSATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
32A (Ta), 100A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
61 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4300 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SuperSO8
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
BSC014
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP000871196
BSC014N04LSATMA1DKR
BSC014N04LSTR
BSC014N04LSDKR
BSC014N04LSATMA1TR
BSC014N04LSTR-DG
BSC014N04LSATMA1CT
BSC014N04LSDKR-DG
BSC014N04LS-DG
BSC014N04LS
BSC014N04LSCT-DG
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BSS84PH6433XTMA1
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
BSR315PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 620MA SC59
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
