Gamintojo produkto numeris:
BSC050N04LSGATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSC050N04LSGATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 40V 18A/85A TDSON
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 18A (Ta), 85A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Inventorius:
108337 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12799808
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
KhMi
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSC050N04LSGATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
18A (Ta), 85A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 27µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3700 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.5W (Ta), 57W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TDSON-8-5
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
BSC050
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSC050N04LS GCT
SP000354806
BSC050N04LSGATMA1CT
BSC050N04LSG
BSC050N04LS GCT-DG
BSC050N04LS G-DG
BSC050N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC050N04LS GTR-DG
BSC050N04LSGATMA1DKR
BSC050N04LS GDKR
BSC050N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC050N04LSGATMA1TR
BSC050N04LS G
BSC050N04LS GDKR-DG
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BTS113ANKSA1
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
BSP88H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
IPA65R650CEXKSA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO220