Gamintojo produkto numeris:
BSC190N12NS3GATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSC190N12NS3GATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON
Išsami aprašymas:
N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventorius:
29800 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12798707
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSC190N12NS3GATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
120 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8.6A (Ta), 44A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
19mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 42µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2300 pF @ 60 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
69W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TDSON-8-1
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
BSC190
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSC190N12NS3 GCT-DG
BSC190N12NS3 GCT
BSC190N12NS3 GDKR-DG
BSC190N12NS3 GTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1TR
SP000652752
BSC190N12NS3 G
BSC190N12NS3 GTR
BSC190N12NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC190N12NS3GATMA1DKR
BSC190N12NS3G
BSC190N12NS3GATMA1CT
BSC190N12NS3 GDKR
BSC190N12NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC190N12NS3 G-DG
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
AUIRL1404S
MOSFET N-CH 40V 160A DPAK
AUIRLS3114Z
MOSFET N-CH 40V 56A DPAK
BSP296 E6433
MOSFET N-CH 100V 1.1A SOT223-4
