Gamintojo produkto numeris:
BSG0811NDATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSG0811NDATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A TISON8
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 25V 19A, 41A 2.5W Surface Mount PG-TISON-8
Inventorius:
8815 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13063863
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSG0811NDATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Gamintojas
Infineon Technologies
Serijos
OptiMOS™
Pakavimas
Tape & Reel (TR)
Dalies būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
AKT funkcija
Logic Level Gate, 4.5V Drive
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
19A, 41A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
8.4nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100pF @ 12V
Galia - Maks.
2.5W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TISON-8
Pagrindinio produkto numeris
BSG0811
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSG0811NDATMA1-ND
BSG0811NDATMA1TR
SP001075902
BSG0811NDATMA1CT
BSG0811NDATMA1DKR
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
BSO204PNTMA1
MOSFET 2P-CH 20V 7A 8DSO
IPG20N06S4L14AATMA1
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
