Gamintojo produkto numeris:
BSO110N03MSGXUMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSO110N03MSGXUMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount PG-DSO-8
Inventorius:
7364 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12801287
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSO110N03MSGXUMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
10A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1500 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.56W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-DSO-8
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pagrindinio produkto numeris
BSO110
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSO110N03MS GINCT-DG
BSO110N03MS G-DG
BSO110N03MSGXUMA1TR
SP000446062
BSO110N03MS GINTR-DG
BSO110N03MS GINDKR-DG
BSO110N03MS GINTR
BSO110N03MS GINDKR
BSO110N03MSG
BSO110N03MS G
BSO110N03MSGXUMA1DKR
BSO110N03MSGXUMA1CT
BSO110N03MS GINCT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPD046N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
IPI65R190CFDXKSA2
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO262-3
IPB065N06L G
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
