Gamintojo produkto numeris:
BSO612CV
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSO612CV-DG
Aprašymas:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Inventorius:
12799380
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSO612CV Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
SIPMOS®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
N and P-Channel
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A, 2A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 20µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
340pF @ 25V
Galia - Maks.
2W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-DSO-8
Pagrindinio produkto numeris
BSO612
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSO612CVINCT
SP000012292
BSO612CVINTR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF7343TRPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
18654
DiGi DALIES NUMERIS
IRF7343TRPBF-DG
VISO KAINA
0.39
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DF23MR12W1M1B11BPSA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
DF11MR12W1M1B11BOMA1
SIC 2N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
BSD840N L6327
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363