Gamintojo produkto numeris:
BSP322PL6327HTSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSP322PL6327HTSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 100V 1A SOT223-4
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 1A (Tc) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventorius:
12801032
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSP322PL6327HTSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
SIPMOS®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 380µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
16.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
372 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.8W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-SOT223-4-21
Pakuotė / dėklas
TO-261-4, TO-261AA
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSP322P L6327
SP000212229
2156-BSP322PL6327HTSA1-ITTR
BSP322P L6327-DG
BSP322PL6327HTSA1TR
INFINFBSP322PL6327HTSA1
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
BSP322PH6327XTSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
3053
DiGi DALIES NUMERIS
BSP322PH6327XTSA1-DG
VISO KAINA
0.28
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPB65R190C6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 20.2A D2PAK
IPC60R190E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPI35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3