Gamintojo produkto numeris:
BSS139H6327XTSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSS139H6327XTSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventorius:
13483 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12802560
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSS139H6327XTSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
SIPMOS®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
100mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
0V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
14Ohm @ 100µA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1V @ 56µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
76 pF @ 25 V
AKT funkcija
Depletion Mode
Galios išsklaidymas (Max)
360mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-SOT23
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pagrindinio produkto numeris
BSS139
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSS139 H6327TR-DG
BSS139H6327
BSS139H6327XTSA1TR
BSS139 H6327CT-DG
BSS139 H6327-DG
SP000702610
BSS139H6327XTSA1CT
BSS139H6327XTSA1DKR
BSS139 H6327CT
BSS139 H6327DKR
BSS139 H6327
BSS139 H6327DKR-DG
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPW60R099CPFKSA1
MOSFET N-CH 650V 31A TO247-3
IPD80R750P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 7A TO252-3
IRFR3707ZCTRLP
MOSFET N-CH 30V 56A DPAK
