Gamintojo produkto numeris:
BSS192PE6327
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSS192PE6327-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
Išsami aprašymas:
P-Channel 250 V 190mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventorius:
12798928
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSS192PE6327 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
-
Serijos
SIPMOS®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
250 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
190mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.8V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
12Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 130µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
6.1 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
104 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-SOT89
Pakuotė / dėklas
TO-243AA
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSS192PE6327INTR
BSS192PE6327INCT
INFINFBSS192PE6327
2156-BSS192PE6327-ITTR
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
BSS192,115
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
42132
DiGi DALIES NUMERIS
BSS192,115-DG
VISO KAINA
0.14
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
BSS192PH6327FTSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
22508
DiGi DALIES NUMERIS
BSS192PH6327FTSA1-DG
VISO KAINA
0.16
Pakeitimo tipas
Parametric Equivalent
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
94-2183PBF
MOSFET P-CH 150V 13A D2PAK
AUIRF2804S
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
AUIRLR2703
MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
