Gamintojo produkto numeris:
BSS205NH6327XTSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSS205NH6327XTSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventorius:
35030 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12826224
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSS205NH6327XTSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 11µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
419 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
500mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-SOT23
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pagrindinio produkto numeris
BSS205
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSS205N H6327
BSS205NH6327XTSA1CT
BSS205NH6327XTSA1DKR
SP000929180
BSS205N H6327TR-DG
BSS205N H6327CT-DG
2156-BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327DKR
BSS205N H6327DKR-DG
BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327-DG
BSS205N H6327CT
BSS205NH6327
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MCU80N06-TP
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
AUIRFR4620
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
2N7002F,215
MOSFET N-CH 60V 475MA TO236AB
