Gamintojo produkto numeris:
BSS215PH6327XTSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSS215PH6327XTSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
Išsami aprašymas:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventorius:
22188 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12799556
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSS215PH6327XTSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
2.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.2V @ 11µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
3.6 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±12V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
346 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
500mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-SOT23
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pagrindinio produkto numeris
BSS215
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSS215P H6327CT
BSS215P H6327-DG
SP000928938
BSS215P H6327DKR
BSS215PH6327XTSA1CT
BSS215P H6327DKR-DG
BSS215P H6327TR-DG
BSS215PH6327XTSA1TR
BSS215P H6327CT-DG
BSS215PH6327XTSA1DKR
BSS215P H6327
BSS215PH6327
2156-BSS215PH6327XTSA1TR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPA093N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
IPA50R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220