Gamintojo produkto numeris:
BSS315PH6327XTSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSS315PH6327XTSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Išsami aprašymas:
P-Channel 30 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventorius:
11540 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12829585
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSS315PH6327XTSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 11µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
2.3 nC @ 5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
282 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
500mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-SOT23
Pakuotė / dėklas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pagrindinio produkto numeris
BSS315
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSS315PH6327XTSA1TR
BSS315PH6327XTSA1DKR
BSS315P H6327DKR
BSS315P H6327TR-DG
BSS315PH6327
2156-BSS315PH6327XTSA1
BSS315P H6327CT-DG
ROCINFBSS315PH6327XTSA1
BSS315P H6327
BSS315P H6327-DG
BSS315P H6327DKR-DG
BSS315P H6327CT
BSS315PH6327XTSA1CT
SP000928946
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BUK7528-100A,127
MOSFET N-CH 100V 47A TO220AB
PMPB100ENEX
MOSFET DFN2020MD-6
BUK663R7-75C,118
MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
