Gamintojo produkto numeris:
BSZ050N03MSGATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
BSZ050N03MSGATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 15A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventorius:
9673 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12854399
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
2wmA
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSZ050N03MSGATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
15A (Ta), 40A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3600 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.1W (Ta), 48W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TSDSON-8
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Pagrindinio produkto numeris
BSZ050
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
BSZ050N03MSGATMA1DKR
BSZ050N03MSGINCT
BSZ050N03MSG
BSZ050N03MSGATMA1TR
BSZ050N03MS G
BSZ050N03MSGINDKR
BSZ050N03MSGINCT-DG
BSZ050N03MSGATMA1CT
BSZ050N03MSGINDKR-DG
BSZ050N03MSGINTR-DG
BSZ050N03MSGXT
BSZ050N03MSGINTR
SP000311518
Standartinis paketas
5,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SPB80N03S2L-03
MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3
IRF6644
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
IRL3803PBF
MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
