Gamintojo produkto numeris:
IPA65R420CFDXKSA2
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPA65R420CFDXKSA2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 8.7A (Tc) 31.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventorius:
500 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12800440
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPA65R420CFDXKSA2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
CoolMOS™ CFD2
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8.7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
420mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4.5V @ 300µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
31.5 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
31.2W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO220-FP
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
IPA65R420
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001977030
448-IPA65R420CFDXKSA2
IPA65R420CFDXKSA2-DG
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPD60R1K4C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
IPC50N04S5L5R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
BSS87E6327
MOSFET N-CH 240V 260MA SOT89-4
