Gamintojo produkto numeris:
IPA90R800C3XKSA2
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPA90R800C3XKSA2-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventorius:
494 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12800853
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPA90R800C3XKSA2 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
CoolMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
900 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6.9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 460µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
33W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO220-FP
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
IPA90R800
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
448-IPA90R800C3XKSA2
SP002548860
IPA90R800C3XKSA2-DG
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPA60R170CFD7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
IPP052N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
IPB70N10S312ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3