Gamintojo produkto numeris:
IPAN60R360P7SXKSA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPAN60R360P7SXKSA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 9A (Tc) 22W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
Inventorius:
490 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13276419
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPAN60R360P7SXKSA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tube
Serijos
CoolMOS™ P7
Produkto būsena
Last Time Buy
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 140µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
555 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
22W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO220 Full Pack
Pakuotė / dėklas
TO-220-3 Full Pack
Pagrindinio produkto numeris
IPAN60
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
SP001866154
2156-IPAN60R360P7SXKSA1
448-IPAN60R360P7SXKSA1
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPA60R180P7XKSA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
484
DiGi DALIES NUMERIS
IPA60R180P7XKSA1-DG
VISO KAINA
1.07
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IPLK80R1K2P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
BSC096N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8-6
IPB60R090CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 25A TO263-3
