Gamintojo produkto numeris:
IPB029N06N3GATMA1
Product Overview
Gamintojas:
Infineon Technologies
Detalių numeris:
IPB029N06N3GATMA1-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventorius:
29422 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12804114
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
IPB029N06N3GATMA1 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Infineon Technologies
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
OptiMOS™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 118µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
165 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
13000 pF @ 30 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
188W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
PG-TO263-3
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
IPB029
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
IPB029N06N3G
IPB029N06N3 GCT
IPB029N06N3 G-DG
IPB029N06N3 GDKR-DG
IPB029N06N3GATMA1CT
IPB029N06N3 GTR-DG
IPB029N06N3GATMA1DKR
IPB029N06N3 GCT-DG
IPB029N06N3GATMA1TR
IPB029N06N3 GDKR
IPB029N06N3 G
SP000453052
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
IRF6633ATRPBF
MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
IPP50R199CPXKSA1
MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3
